TFT-LCD的簡介

·TFT-LCD的概述    
      TFT(ThinFilm Transistor)LCD即薄膜場效應晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
·     TFT=Thin-FilmTransistor=薄膜晶體管
·     LCD=Liquid-CrystalDisplay=液晶顯示器
·     TFT-LCD（Thin FilmTransistor-liquid Crystal Display），薄膜電晶體液晶顯示屏，誕生于1960年，經過不斷的改良，于1991年正式應用于商業化筆記型，隨著工藝技術的逐步成熟，目前TFT-LCD在各個應用領域正逐步取代CRT產品，成為顯示技術之主流。
 
·     液晶顯示屏的優點就是耗電小、工作電壓低、解析度高、無輻射、顯示屏本身比較輕薄、便于攜帶、使用壽命長等，由于具有這些優點，所以在很多領域得到廣泛應用，如：電視機、顯示器、筆記本、、衛星導航、PDA等。
 
液晶平板顯示器，特別TFT-LCD，是目前唯一在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能上全面趕上和超過CRT的顯示器件，它的性能優良、大規模生產特性好，自動化程度高，原材料成本低廉，發展空間廣闊，將迅速成為新世紀的主流產品，是21世紀全球經濟增長的一個亮點。
 
　　主要特點
和TN技術不同的是，TFT的顯示采用“背透式”照射方式——假想的光源路徑不是像TN液晶那樣從上至下，而是從下向上。這樣的作法是在液晶的背部設置特殊光管，光源照射時通過下偏光板向上透出。由于上下夾層的電極改成FET電極和共通電極，在FET電極導通時，液晶分子的表現也會發生改變，可以通過遮光和透光來達到顯示的目的，響應時間大大提高到80ms左右。因其具有比TN-LCD更高的對比度和更豐富的色彩，熒屏更新頻率也更快，故TFT俗稱“真彩”。
 
TFT-LCD的主要特點是為每個像素配置一個半導體開關器件。由于每個像素都可以通過點脈沖直接控制。因而每個節點都相對獨立，并可以進行連續控制。這樣的設計方法不僅提高了顯示屏的反應速度，同時也可以精確控制顯示灰度，這就是TFT色彩較DSTN更為逼真的原因。
 
　　應用
目前，絕大部分筆記本廠商的產品都采用TFT-LCD。早期的TFT-LCD主要用于筆記本的制造。盡管在當時TFT相對于DSTN具有極大的優勢，但是由于技術上的原因，TFT-LCD在響應時間、亮度及可視角度上與傳統的CRT顯示器還有很大的差距。加上極低的成品率導致其高昂的價格，使得桌面型的TFT-LCD成為遙不可及的尤物。
 
不過，隨著技術的不斷發展，良品率不斷提高，加上一些新技術的出現，使得TFT-LCD在響應時間、對比度、亮度、可視角度方面有了很大的進步，拉近了與傳統CRT顯示器的差距。如今，大多數主流LCD顯示器的響應時間都提高到50ms以下，這些都為LCD走向主流鋪平了道路。
 
·TFT-LCD的主要優點    
隨著TFT技術的成熟，彩色液晶平板顯示器迅速發展，不到10年的時間，TFT-LCD迅速成長為主流顯示器，這與它具有的優點是分不開的。主要特點是：
 
（1）使用特性好：低壓應用，低驅動電壓，固體化使用安全性和可靠性提高；平板化，又輕薄，節省了大量原材料和使用空間；低功耗，它的功耗約為CRT顯示器的十分之一，反射式TFT-LCD甚至只有CRT的百分之一左右，節省了大量的能源；TFT-LCD產品還有規格型號、尺寸系列化，品種多樣，使用方便靈活、維修、更新、升級容易，使用壽命長等許多特點。顯示范圍覆蓋了從1英寸至40英寸范圍內的所有顯示器的應用范圍以及投影大平面，是全尺寸顯示終端；顯示質量從最簡單的單色字符圖形到高分辨率，高彩色保真度，高亮度，高對比度，高響應速度的各種規格型號的視頻顯示器；顯示方式有直視型，投影型，透視式，也有反射式。
 
（2）環保特性好：無輻射、無閃爍，對使用者的健康無損害。特別是TFT-LCD電子書刊的出現，將把人類帶入無紙辦公、無紙印刷時代，引發人類學習、傳播和記栽文明方式的革命。
 
（3）適用范圍寬，從-20℃到+50℃的溫度范圍內都可以正常使用，經過溫度加固處理的TFT-LCD低溫工作溫度可達到零下80℃。既可作為移動終端顯示，臺式終端顯示，又可以作大屏幕投影電視，是性能優良的全尺寸視頻顯示終端。
 
（4）制造技術的自動化程度高，大規模工業化生產特性好。TFT-LCD產業技術成熟，大規模生產的成品率達到90%以上。
 
（5）TFT-LCD易于集成化和更新換代，是大規模半導體集成電路技術和光源技術的完美結合，繼續發展潛力很大。目前有非晶、多晶和單晶硅TFT-LCD，將來會有其它材料的TFT，既有玻璃基板的又有塑料基板。
　　
TFT-LCD技術研究現狀    
　　分辨率：TFT-LCD的分辨率在近幾年中經由CGA( 320 * 2 00),VGA( 640 * 4 80),SVGA (1280 * 1024)。
XGA (1024 * 768). SXGA (1280 * 1024)發展到目前的UXGA (1600 * 1200)、QXGA (2560 * 2048)的水平。
 
對比度：美國P.P.Muhoray等人推出了波導基LCD技術，并利用這種技術實現了174:1的高對比度，而現在的TFT-LCD對比度最高可達到500:1。
 
視角： 由于液晶材料是各向異性的，其分子排列的取向及在電場作用下的重新排列取得均勻影響LCD器件視角的拓寬，這就造成了LCD器件視角上的缺點，現已提出多種寬視角技術，如同平面切換模式、相對稱微單元模式、疇垂直模式等，視角可達到170度。
 
響應速度:當幀頻為60% 時，幀周期約為16ms,采用TN型LCD的普通TFT-LCD器件的響應時間可低于20ms。最近推出了一種利用彈性連續聚合物穩定化的平面開關方法，可使響應時間縮短到10ms，采用光學補償帶可將響應時間縮短到2～3ms，目前已用本技術研制出響應時間為8ms的彩色LCD電視機。
 
　　壽命：由于制造技術的發展，TFT-LCD的壽命可達到3萬小時以上。
　　大屏幕和反射式己出現:已研制成功38in的TFT-LCTV，結束了大屏幕LC的拼接時代，反射式TFT-LCD彩色顯示器也開始商品化。
　　由于TFT制作技術的發展、液晶材料性能的改善、寬視角技術的采用、響應速度的提高和成品率的提高，TFT-LCD顯示性能已并不亞于CRT。
　　
·TFT型液晶顯示器結構
通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、柵電極、柵絕緣層、半導體活性層a-Si,歐姆接觸層n+a-Si、源漏電極及保護膜等組成，其中柵絕緣層和保護膜一般采用SiN。
 
a-Si TFT 的結構可分為四種典型結構：源、漏、柵三電極位于半導體活性層a-Si同一側的平面結構，其中源、漏、柵三電極位于a-Si層上側的稱正柵平面結構，源、漏、柵三電極位于a-Si層下側的稱倒柵平面結構；源、漏、電極與柵電極位于a-Si層兩側的交錯結構，其中柵電極在a-Si層上側，源、漏電極在a-Si層下側的稱正柵交錯結構或頂柵結構，柵極在a-Si下側，源、漏電極在a-Si層上側的稱倒柵交錯結構或底柵結構。
 
　　從制造工藝上看，交錯結構的SiN，a-Si和n+a-Si三層(或其中二層)可以連續淀積，適合流水作業，又可減少交叉污染。現在，交錯結構已成為主流，它不僅對a-Si，SiN。n+a-Si可連續作業，而且倒柵還可以作遮光層(不需另設遮光層)，這對a-Si TFT是重要的，因為a-Si對光敏感，一旦有光流入引起漏電流增加，將會導致像質惡化。
　　
TFT型液晶顯示器原理
從TFT-LCD的切面結構圖（上圖）可以看到LCD是由二層玻璃基板夾住液晶組成的，形成一個平行板電容器，通過嵌入在下玻璃基板上的TFT對這個電容器和內置的存儲電容充電，維持每幅圖像所需要的電壓直到下一幅畫面更新。液晶的彩色都是透明的必須給LCD襯以白色的背光板上才能將五顏六色表達出來，而要使白色的背光板有反射就需要在四周加上白色燈光。因此在TFT-LCD的底部都組合了燈具，如CCFL或LED。
 
　　TFT-LCD需要背光，由于LCD面板本身并不發光，因此需要背光，液晶顯示器就必須加上一個背光板, 來提供一個高亮度，而且亮度分布均勻的光源。LCD實際上是打開來自其后面光源的光來表現其色彩的。目前的常用背光源是CCFL或LED。
　
TFT-LCD驅動原理
一個TFT元件就相當于一個電控開關，掃描線（柵極）控制開關的打開和閉合，數據線（源極）提供液晶顯示不同亮度所需要的灰階電壓。當在掃描線（柵極）上施以高電壓時，TFT元件打開，灰階電壓就能從數據線（源極）進入像素電極（漏極），并經由透明像素電極施加于液晶層上，改變液晶的站立角度從而顯示預定灰階。

 
整個TFT-LCD面板的顯示區域就是由數百萬個獨立TFT元件控制的像素矩陣構成。如下圖，當掃描線打開第三行像素時，數據線會將第三行像素所需要的灰階電壓寫入，然后關閉第三行，使其處于電壓保持狀態，同時打開第四行掃描線，寫入第四行像素所需的灰階電壓，完成寫入后關閉第四行，并開啟第五行像素，依序逐行寫入面板各行像素所需灰階電壓。

TFT-LCD 制程相關簡要